[发明专利]场发射光源阴极及其制备方法、场发射光源器件无效
| 申请号： | 201210491469.0 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103839759A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;梁艳馨;陈贵堂 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | H01J63/02 | 分类号： | H01J63/02;H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518100 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场发射光源阴极，该场发射光源阴极包括柔性衬底、设在柔性衬底上的导电层、设于导电层上的催化剂阵列层及设在催化剂阵列层上的电子发射体阵列，其中，催化剂阵列层的材料为能够催化电子发射体阵列生长的材料。上述场发射光源阴极采用柔性耐高温薄膜材料作为衬底材料，容易实现弯曲加工，从而得到各种曲面场发射光源阴极，具有高的光通量。此外，本发明还提供一种场发射光源阴极的制备方法以及一种场发射光源器件。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 光源 阴极 及其 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
一种场发射光源阴极，其特征在于，包括柔性衬底、设在所述柔性衬底上的导电层、设于所述导电层上的催化剂阵列层及设在所述催化剂阵列层上的电子发射体阵列，所述催化剂阵列层的材料为能够催化所述电子发射体阵列生长的材料。
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