[发明专利]场发射光源阴极及其制备方法、场发射光源器件无效
| 申请号： | 201210491469.0 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103839759A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;梁艳馨;陈贵堂 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | H01J63/02 | 分类号： | H01J63/02;H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518100 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 光源 阴极 及其 制备 方法 器件 | ||
1.一种场发射光源阴极，其特征在于，包括柔性衬底、设在所述柔性衬底上的导电层、设于所述导电层上的催化剂阵列层及设在所述催化剂阵列层上的电子发射体阵列，所述催化剂阵列层的材料为能够催化所述电子发射体阵列生长的材料。
2.如权利要求1所述的场发射光源阴极，其特征在于，所述柔性衬底的材料为聚二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。
3.如权利要求1所述的场发射光源阴极，其特征在于，所述电子发射体阵列为氧化锌纳米棒阵列，所述催化剂阵列层的材料为ZnO籽晶。
4.如权利要求1所述的场发射光源阴极，其特征在于，所述电子发射体阵列为碳纳米管阵列，所述催化剂阵列层的材料为Ni或Co。
5.如权利要求1所述的场发射光源阴极，其特征在于，还包括对应设在所述催化剂阵列层与所述导电层之间的金属缓冲阵列层。
6.一种场发射光源阴极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基底，所述基底包括柔性衬底及设于所述柔性衬底上的导电层；
在所述导电层上涂覆抗蚀剂形成抗蚀剂层；
刻蚀所述抗蚀剂层形成贯穿至所述导电层的阵列掩膜图案；
在所述导电层对应所述阵列掩膜图案的部位制备催化剂阵列层，所述催化剂阵列层的材料为能够催化电子发射体阵列生长的材料；
在所述催化剂阵列层上生长所述电子发射体，形成电子发射体阵列；及
去除导电层表面剩余的抗蚀剂层，得到所述场发射光源阴极。
7.如权利要求6所述的场发射光源阴极的制备方法，其特征在于，还包括在制备催化剂阵列层前在所述导电层对应所述阵列掩膜图案的部位制备金属缓冲阵列层的步骤。
8.如权利要求6所述的场发射光源阴极的制备方法，其特征在于，所述电子发射体阵列为氧化锌纳米棒阵列，所述催化剂阵列层的材料为ZnO籽晶。
9.如权利要求6所述的场发射光源阴极的制备方法，其特征在于，所述电子发射体阵列为碳纳米管阵列，所述催化剂阵列层的材料为Ni或Co。
10.一种场发射光源器件，其特征在于，包括如权利要求1~5任一项所述的场发射光源阴极。
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