[发明专利]一种在金属集流器上原位生长碳纳米管阵列的方法有效
| 申请号： | 201210489224.4 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102945950A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 冷越;董绍明;胡建宝;王震;丁玉生;何平;高乐;张翔宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在金属集流器上原位生长碳纳米管阵列的方法，所述方法包括制备具有催化剂层/缓冲层/金属箔三层结构的基底及采用热CVD法在上述基底上原位生长碳纳米管阵列步骤。由本发明方法生长的碳纳米管阵列的高度可达80～300μm，直径达6～20nm，少壁且每根碳纳米管均与集流器直接牢固结合。经实验得知：所制备的碳纳米管阵列负极材料在低速和高速充放电条件下均具有高比容量，循环稳定性好。且本发明方法具有工艺简单、设备要求低等优点，所制备的碳纳米管阵列具有作为支架加载其它活性材料制备高性能复合电极材料的巨大潜力，具有十分广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 集流器上 原位 生长 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种在金属集流器上原位生长碳纳米管阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)制备具有催化剂层/缓冲层/金属箔三层结构的基底；b)采用热CVD法在上述基底上原位生长碳纳米管阵列。
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