[发明专利]一种InP/高κ栅介质堆栈结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210485630.3 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103839984A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 屠海令;杨萌萌;杜军;魏峰;熊玉华;张心强 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种InP/高κ栅介质堆栈结构及其制备方法。该栅介质堆栈结构包括InP基片、在该InP基片上沉积的非晶HfO2-Gd2O3薄膜、以及采用物理气相沉积的金属栅电极。其制备方法包括如下步骤：(1)清洗InP基片，去除其表面的有机污染物、微尘、金属离子及氧化层；(2)采用氧化铪和氧化钆陶瓷靶材向InP基片上沉积HfO2-Gd2O3薄膜；(3)采用物理气相沉积法向HfO2-Gd2O3薄膜上沉积金属栅电极，得到InP/高κ栅介质堆栈结构。本发明的InP/高κ栅介质堆栈结构表现出优异的电学性能，具有较高的介电常数、较小的漏电流密度。本发明为III-V族半导体/高κ栅堆栈结构在集成电路中的应用提供了依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp 介质 堆栈 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种InP/高κ栅介质堆栈结构，其特征在于：该栅介质堆栈结构包括InP基片、在该InP基片上沉积的非晶HfO2‑Gd2O3薄膜、以及采用物理气相沉积的金属栅电极。
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