[发明专利]集成电路SPICE模型中的应力影响模型的优化有效
| 申请号： | 201210480135.3 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103838888B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 陈新 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及优化集成电路SPICE模型中的应力影响模型的方法和装置，以及制造集成电路的方法。该应力影响模型利用版图参数和与工艺相关的工艺模型参数来计算应力对晶体管参数的影响，所述优化应力影响模型的方法包括获取版图中多个版图区域的至少一个版图参数的值以及晶圆上相对应的多个晶圆区域的至少一个工艺参数的值；基于所获取的版图参数的值和工艺参数的值，建立表示所述工艺参数对版图参数的依赖性的函数；以及将所述函数作为工艺模型参数应用到所述应力影响模型中。利用上述方法得到的应力影响模型，能够反映出工艺参数波动对晶体管性能的影响，从而更准确地模拟诸如晶体管等器件的特性，以有助于集成电路的设计和制造。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 spice 模型 中的 应力 影响 优化 | ||
【主权项】：
一种优化集成电路SPICE模型中的应力影响模型的方法，该应力影响模型利用版图参数和与工艺相关的工艺模型参数来计算应力对晶体管参数的影响，所述方法包括：获取版图中多个版图区域的至少一个版图参数的值以及晶圆上相对应的多个晶圆区域的至少一个工艺参数的值；基于所获取的版图参数的值和工艺参数的值，建立表示所述工艺参数对版图参数的依赖性的函数；以及将所述函数作为工艺模型参数代入到所述应力影响模型中。
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