[发明专利]掩膜版及光刻材料的曝光检测方法

摘要

本发明属于液晶显示技术领域，具体涉及一种掩膜版及光刻材料的曝光检测方法。光刻材料的曝光检测方法包括：步骤S1：利用掩膜版对光刻材料膜层进行曝光，形成与所述掩膜版上的曝光检测区对应的曝光检测单元，所述曝光检测单元上形成与所述曝光检测区中的不完全透光区对应的不完全曝光区，以及形成与所述曝光检测区中的位置标识对应的分界线标识，所述不完全曝光区包括材料完全去除区和材料残留区，所述材料完全去除区和材料残留区的交接处形成分界线；步骤S2：确定所述不完全曝光区内分界线的位置，根据所述分界线的位置与所述分界线标识的位置关系，获得所述光刻材料膜层的实际曝光信息。该检测方法简单易行，测量结果准确，且可靠度高。

主权项

一种掩膜版，包括曝光检测区，其特征在于，所述曝光检测区包括不完全透光区，所述不完全透光区具有第一位置和第二位置，在所述第一位置和所述第二位置之间具有参考位置；其中：从第一位置到第二位置，不完全透光区的透光量逐渐减小；所述参考位置处的透光量等于待曝光的光刻材料膜层被完全曝光所需的最少透光量。