[发明专利]掩膜版及光刻材料的曝光检测方法

权利要求书

1.一种掩膜版，包括曝光检测区，其特征在于，所述曝光检测区包括不完全透光区，所述不完全透光区具有第一位置和第二位置，在所述第一位置和所述第二位置之间具有参考位置；其中：

从第一位置到第二位置，不完全透光区的透光量逐渐减小；

所述参考位置处的透光量等于待曝光的光刻材料膜层被完全曝光所需的最少透光量。

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版还包括对所述参考位置进行标识的位置标识。

3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述不完全透光区的俯视平面形状为：沿所述第二位置到第一位置的方向逐渐变窄。

4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，

所述不完全透光区的俯视平面形状为梯形，所述梯形中较长的下底边对应所述不完全透光区的第一位置，较短的上底边对应所述不完全透光区的第二位置；或者，

所述不完全透光区的平面形状为三角形，所述三角形的底边对应所述不完全透光区的第一位置，与所述底边相对的顶点对应所述不完全透光区的第二位置。

5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，当所述不完全透光区的俯视平面形状为梯形时，所述梯形的腰与上底边之间的夹角的角度小于135°；当所述不完全透光区的俯视平面形状为三角形时，所述三角形的顶角的角度小于90°。

6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述不完全透光区由不完全透光材料形成，且，

所述不完全透光材料的厚度从所述第一位置到所述第二位置递增；和/或，所述不完全透光材料的透光率从所述第一位置到所述第二位置递减。

7.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述不完全透光区包括多个相离设置的子不透光区与子不完全透光区，在所述不完全透光区的俯视平面上，所述多个子不透光区的面积沿第一位置到第二位置的方向上依次增大，和/或，所述多个子不透光区的分布密度沿第一位置到第二位置的方向上依次增大。

8.根据权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，在所述不完全透光区的俯视平面上，所述多个子不透光区为沿从所述第一位置到所述第二位置的方向上依次排列的多个长方形。

9.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，在所述曝光检测区的俯视平面上：在所述不完全透光区的外侧设有不透光区和完全透光区，所述不透光区和所述完全透光区的交界线上有与所述参考位置处于同一直线的所述位置标识。

10.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，在所述曝光检测区的俯视平面上：在所述不完全透光区的外侧包围有不透光区，所述不透光区中设置有所述位置标识,所述位置标识包括至少一个子位置标识，所述子位置标识为条状完全透光区，所述条状完全透光区沿着与从所述第一位置到所述第二位置的方向平行的方向排列，至少一条所述条状完全透光区与所述参考位置处于同一条直线。

11.一种光刻材料的曝光检测方法，所述方法包括以下步骤：

步骤S1：利用掩膜版对光刻材料膜层进行曝光，形成与所述掩膜版上的曝光检测区对应的曝光检测单元，所述曝光检测单元上形成与所述曝光检测区中的不完全透光区对应的不完全曝光区，所述不完全曝光区包括材料完全去除区和材料残留区，所述材料完全去除区和材料残留区的交接处形成分界线；

其中，所述掩膜版上的曝光检测区中的不完全透光区具有第一位置和第二位置，在所述第一位置和所述第二位置之间具有参考位置；从第一位置到第二位置，不完全透光区的透光量逐渐减小；所述参考位置处的透光量等于待曝光的光刻材料膜层被完全曝光所需的最少透光量；

步骤S2：确定所述不完全曝光区内分界线的位置，根据所述分界线的位置获得所述光刻材料膜层的实际曝光信息。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述曝光检测区中还包括对所述参考位置进行标识的位置标识；

所述步骤S1还包括：形成与所述曝光检测区中的位置标识对应的分界线标识。