[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201210476902.3 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103839872A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;谭晶晶;白凡飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：在半导体衬底上形成凹槽；步骤S102：在所述半导体衬底上及凹槽中形成扩散阻挡层和种子层；步骤S103：对所述种子层进行以氯为基础的表面处理；步骤S104：利用含铜电解液对所述半导体衬底进行电化学电镀，以在所述凹槽中形成金属层。本发明的半导体器件的制造方法，通过在进行电化学电镀形成金属层的步骤之前增加对种子层进行以氯为基础的表面处理的步骤，改善了电化学电镀工艺的间隙填充能力，提高了形成的铜金属层的良率，进而提高了半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：在半导体衬底上形成凹槽；步骤S102：在所述半导体衬底上及凹槽中形成扩散阻挡层和种子层；步骤S103：对所述种子层进行以氯为基础的表面处理；步骤S104：利用含铜电解液对所述半导体衬底进行电化学电镀，以在所述凹槽中形成金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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