[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201210476902.3 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103839872A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;谭晶晶;白凡飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S101：在半导体衬底上形成凹槽；
步骤S102：在所述半导体衬底上及凹槽中形成扩散阻挡层和种子层；
步骤S103：对所述种子层进行以氯为基础的表面处理；
步骤S104：利用含铜电解液对所述半导体衬底进行电化学电镀，以在所述凹槽中形成金属层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中所形成的种子层在所述凹槽的侧壁的上部形成有凸起。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述对所述种子层进行以氯为基础的表面处理工艺采用的方法为：采用含氯等离子体处理所述种子层的表面。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，仅对所述种子层位于所述凹槽之外的部分以及所述种子层的凸起进行表面处理。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，所述含铜电解液包括促进剂、抑制剂和平坦化剂中的至少一种。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述促进剂为有机硫化物，其含量为5~50ml/L。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述有机硫化物的分子通式为H-S-C-C-C-SO3-。
8.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述抑制剂为含氧聚合物，其含量为1-10ml/L。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述含氧聚合物的分子通式为O-[C-C-O-C-C-C-O]n。
10.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述平坦化剂为含有硫酸和氮的官能团的大分子量单体或聚合物，其含量为1-10ml/L。
11.如权利要求1至10任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104之后还包括步骤S105：对所述金属层进行CMP。
12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105之后还包括步骤S106：在所述金属层上形成电介质阻挡层。
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