[发明专利]一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法在审
| 申请号： | 201210468885.9 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103824764A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法，其特征是沟槽底部的栅氧化膜较沟槽侧壁的栅氧化膜厚，包括以下步骤：1在需要制作沟槽栅的硅片上经光刻和刻蚀的方法形成沟槽；2第一栅氧化膜的生长；3光刻胶的旋涂；4部分去除光刻胶，保留沟槽底部的光刻胶；5去除沟槽侧壁以及硅片表面的第一栅氧化膜，保留沟槽底部的第一栅氧化膜,然后去除沟槽底部的光刻胶；6第二栅氧化膜的生长；7多晶硅的填充；8通过回刻或化学机械研磨对多晶硅平坦化，形成最终的沟道栅。本发明能减少栅极和漏极之间的寄生电容，提高沟槽型MOS器件的开关速度，降低开关损耗，同时也可以解决沟槽型MOS器件在沟槽底部容易发生电击穿的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法，其特征是沟槽底部的栅氧化膜较沟槽侧壁的栅氧化膜厚，该方法包括以下步骤：（1）在需要制作沟槽栅的硅片上经由光刻和刻蚀的方法形成沟槽；（2）第一栅氧化膜的生长；（3）光刻胶的旋涂；（4）部分去除光刻胶，保留沟槽底部的光刻胶；（5）去除沟槽侧壁以及硅片表面的第一栅氧化膜，保留沟槽底部的第一栅氧化膜，然后去除沟槽底部的光刻胶；（6）第二栅氧化膜的生长；（7）多晶硅的填充；（8）通过回刻或化学机械研磨对多晶硅平坦化，形成最终的沟道栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
