[发明专利]一种高压发光二级管的制备方法无效
| 申请号： | 201210459434.9 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103811405A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 王立彬;赖鸿章 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高压发光二级管的制备方法，涉及GaN材料发光二极管技术领域。本发明的方法步骤为：①采用ICP刻蚀、RIE刻蚀、激光刻蚀或者钻石划片的工艺在发光二级管芯片的上表面刻蚀出隔离沟槽；②用化学刻蚀液对刻蚀出的隔离沟槽进行腐蚀，获得隔离沟槽及其侧壁一定的形貌，各隔离沟槽围城的中间部分构成多个串联或者并联在一起的发光单元。同现有技术相比，本发明可以根据用户情况选择合适的刻蚀方式实现，并增加了湿法腐蚀工艺使沟槽和侧壁形成理想形貌，能有效提高高压LED芯片的光效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 发光 二级 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压发光二级管的制备方法，其步骤为：![]()
采用ICP刻蚀、RIE刻蚀、激光刻蚀或者钻石划片的工艺在发光二级管芯片的上表面刻蚀出隔离沟槽（3）；![]()
用化学刻蚀液对刻蚀出的隔离沟槽（3）进行腐蚀，获得隔离沟槽（3）及其侧壁一定的形貌，各隔离沟槽（3）围城的中间部分构成多个串联或者并联在一起的发光单元（1）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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