[发明专利]一种同轴纳米电缆的制备方法有效
| 申请号： | 201210455309.0 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103811131A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 师大伟;韩秀峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01B13/016 | 分类号： | H01B13/016;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种同轴纳米电缆的制备方法，包括：1）提供具有多个孔道的模板，在所述模板的一面沉积电极层覆盖所述多个孔道，用于电化学沉积；2）配制电解液，该电解液中含有能够电化学沉积出至少两种金属的成分；3）将所述模板放置在电化学沉积装置中的电解液中进行电化学沉积，并在沉积过程中对电解液进行处理，使模板的孔道中产生传质速度不同的电解液环境。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同轴 纳米 电缆 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种同轴纳米电缆的制备方法，包括：1）提供具有多个孔道的模板，在所述模板的一面沉积电极层覆盖所述多个孔道，用于电化学沉积；2）配制电解液，该电解液中含有能够电化学沉积出至少两种金属的成分；3）将所述模板放置在电化学沉积装置中的电解液中进行电化学沉积，并在沉积过程中对电解液进行处理，使模板的孔道中产生传质速度不同的电解液环境。
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