[发明专利]一种在泡沫镍上生长碳纳米管的方法有效

专利信息
申请号: 201210450981.0 申请日: 2012-11-13
公开(公告)号: CN103253648A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 王修春;张晶;马婕;刘硕;伊希斌 申请(专利权)人: 山东省科学院新材料研究所
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;B82Y30/00;C22C1/08;C23C16/26;B01J23/755
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250014 山东省济南市历*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种在泡沫镍基底上生长碳纳米管的制备方法。所用方法为等离子化学气相沉积法。首先制备含有镍(Ni)元素的酸盐溶于乙二醇甲醚(2-methoxyethanol)中,并且添加适量氨水,高速搅拌数小时,后密封静置得到绿色透明的溶胶。将溶胶涂布在泡沫镍基底材料上。将所述形成有溶胶的泡沫镍基底置于真空炉腔内,当温度达到500-600℃时,通入一定体积比的氢气和氮气还原镍元素作为生长碳纳米管的催化剂,保持10分钟。当温度达到700-800℃时,通入碳源气体,与氢气和氮气保持一定体积比,反应30分钟后生长完毕。在泡沫镍上有碳纳米管生成。此方法制备工艺过程简单,可作为绿色储能器件的电极材料。
搜索关键词: 一种 泡沫 生长 纳米 方法
【主权项】:
一种在泡沫镍上生长碳纳米管的方法,其特征在于:在常温下,将泡沫镍在超声波清洗仪中用无水乙醇清洗,再用去离子水清洗数次。Ni酸盐溶液与有机溶剂乙二醇甲醚混合制备出溶胶并涂覆在泡沫镍上。将所述形成有溶胶的泡沫镍基底置于真空炉腔内,当温度达到500‑600℃时,通入一定体积比的氢气和氮气还原镍元素作为生长碳纳米管的催化剂,保持10分钟。当温度达到700‑800℃时,通入碳源气体,与氢气和氮气保持一定体积比,反应30分钟后生长完毕。
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