[发明专利]一种在泡沫镍上生长碳纳米管的方法

权利要求书

1.一种在泡沫镍上生长碳纳米管的方法，其特征在于：在常温下，将泡沫镍在超声波清洗仪中用无水乙醇清洗，再用去离子水清洗数次。Ni酸盐溶液与有机溶剂乙二醇甲醚混合制备出溶胶并涂覆在泡沫镍上。将所述形成有溶胶的泡沫镍基底置于真空炉腔内，当温度达到500-600℃时，通入一定体积比的氢气和氮气还原镍元素作为生长碳纳米管的催化剂，保持10分钟。当温度达到700-800℃时，通入碳源气体，与氢气和氮气保持一定体积比，反应30分钟后生长完毕。

2.如权利要求1所述的生长碳纳米管的方法，其特征在于，所述基底材料为具有导电性的泡沫镍材料。

3.如权利要求1所述的生长碳纳米管的方法，其特征在于，所述制备Ni溶胶的酸盐溶液为不同浓度的硝酸镍、硫酸镍、碱式碳酸镍溶液。所述用来制备溶胶的有机溶剂为乙二醇甲醚。

4.如权利要求1所述的生长碳纳米管的方法，其特征在于，采用浸渍提拉法在泡沫镍基底上涂布。提拉速度为5-20cm/分钟。湿膜在100℃热处理后重复浸渍提拉，提拉次数为3-10次。

5.权利要求1所述的生长碳纳米管的方法，其特征在于，通入氢气后的还原温度为500-600℃，保持时间为10分钟。

6.如权利要求1所述的生长碳纳米管的方法，其特征在于，通入碳源气体为甲烷、乙烷、乙炔和乙烯的一种或几种混合物。

7.如权利要求1所述的生长碳纳米管的方法，其特征在于，所述生长碳纳米管的温度为700-800℃，保持时间为30分钟。

8.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所制备出的碳纳米管为单壁碳纳米管、多壁碳纳米管中的一种。