[发明专利]一种前级驱动电路和功率模块驱动器无效
| 申请号： | 201210450733.6 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102904423A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 郝斌;应翔;万艳宽;薛山 | 申请（专利权）人： | 重庆长安汽车股份有限公司;重庆长安新能源汽车有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 北京信远达知识产权代理事务所(普通合伙) 11304 | 代理人： | 赵百令;刘大玲 |
| 地址： | 400023 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种前级驱动电路和功率模块驱动器，其中所述前级驱动电路包括：第一N沟道增强型金属氧化物半导体型场效应管MOS管和第二N沟道增强型MOS管：所述第一N沟道增强型MOS管连接于所述前级驱动电路的第一脉冲宽度调制PWM信号输入端与驱动控制模块的第二输入端之间；所述第二N沟道增强型MOS管连接于所述前级驱动电路的第二PWM信号输入端与驱动控制模块的第一输入端之间。当控制器两个输入端均输出高电平时，所述MOS管将高电平转换为低电平向功率晶体管逆变器输出，防止功率晶体管逆变器同一相上下两个桥臂同时接收所述高电平信号而出现短路现象，从而提高了电机驱动系统的可靠性、稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 驱动 电路 功率 模块 驱动器 | ||
【主权项】：
一种前级驱动电路，其特征在于，包括：第一N沟道增强型金属氧化物半导体型场效应管MOS管和第二N沟道增强型MOS管：所述第一N沟道增强型MOS管连接于所述前级驱动电路的第一脉冲宽度调制PWM信号输入端与驱动控制模块的第二输入端之间；所述第二N沟道增强型MOS管连接于所述前级驱动电路的第二PWM信号输入端与驱动控制模块的第一输入端之间。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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