[发明专利]具有减噪功能的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪有效
申请号: | 201210448596.2 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN102945786A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 唐飞;王晓浩;徐初隆 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01J49/26 | 分类号: | H01J49/26;H01J49/06 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 邸更岩 |
地址: | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 具有减噪功能的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪,该迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测单元,在迁移区内平行放置上基片和下基片,在上基片和下基片分别设置上迁移区电极和下迁移区电极,上迁移区电极与非对称波形射频电源和直流扫描补偿电源相连,检测单元由电流检测电极和电流检测偏转电极组成,分别放置在上基片和下基片上,其特征在于:在上迁移区电极周围增加一圈迁移区屏蔽电极,同时在电流检测电极周围增加一圈电流检测屏蔽电极,两圈屏蔽电极分别接地,上迁移区电极和迁移区屏蔽电极之间,以及电流检测电极和电流检测屏蔽电极之间用空气或者绝缘材料进行绝缘。 | ||
搜索关键词: | 具有 功能 平板 型高场非 对称 波形 离子 迁移 | ||
【主权项】:
一种具有减噪功能的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪,所述的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪包括离子源(2)、迁移区(3)和检测单元(10);在迁移区(3)内平行放置上基片(4)和下基片(5),在上基片(4)和下基片(5)上分别设置上迁移区电极(6)和下迁移区电极(7),上迁移区电极(6)分别与非对称波形射频电源(9)和直流扫描补偿电源(8)相连;所述的检测单元由电流检测电极(12)和电流检测偏转电极(11)组成,电流检测电极(12)放置在上基片(4)上,电流检测偏转电极(11)放置在下基片(5)上,其特征在于:在上迁移区电极(6)周围设置一圈迁移区屏蔽电极(13),在电流检测电极(12)周围设置一圈电流检测屏蔽电极(14),两圈屏蔽电极分别接地;上迁移区电极(6)和迁移区屏蔽电极(13)之间,以及电流检测电极(12)和电流检测屏蔽电极(14)之间以空气或者绝缘材料进行绝缘。
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