[发明专利]一种低压缩永久变形的导电屏蔽硅橡胶的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210445994.9 申请日: 2012-11-09
公开(公告)号: CN102964845A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 张继华;吴福迪;赵云峰;王立峰;陈江涛 申请(专利权)人: 航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院
主分类号: C08L83/07 分类号: C08L83/07;C08K13/06;C08K9/06;C08K9/04;C08K3/04;C08K3/22;C08K5/14;B29C35/02
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 莫丹
地址: 100076 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种低压缩永久变形的导电屏蔽硅橡胶的制备方法,其步骤包括:(1)准备原料,硅橡胶100份,硫化剂2~5份,超导炭黑10~30份,偶联剂1~4份;(2)在常温下将步骤(1)所述的原料在开炼机上进行混炼,在混料过程中,超导炭黑分步加入,以提高超导炭黑的分散性;(3)对步骤(2)所得胶料硫化处理,硫化处理分为两段。本发明方法制备的导电屏蔽硅橡胶比乙炔炭黑填充的导电硅橡胶具有优异的弹性;本发明方法制备工艺简单,成本低;本发明方法制备的导电屏蔽硅橡胶,兼顾高低温、力学性能、导电和屏蔽性能,适合作为高性能密封材料使用。
搜索关键词: 一种 压缩 永久 变形 导电 屏蔽 硅橡胶 制备 方法
【主权项】:
1.一种低压缩永久变形的导电屏蔽硅橡胶的制备方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:(1)准备如下质量份的原料,(2)在常温下将步骤(1)所述的原料在开炼机上进行混炼;在混料过程中,超导炭黑分步加入,以提高超导炭黑的分散性;(3)对步骤(2)所得胶料硫化处理,硫化处理分为两段:一段硫化在150~170℃,硫化时间30min或者由硫化仪测试的正硫化时间确定;二段硫化为室温升温至150℃、升温时间1小时,再由150℃升温至200℃、升温时间1小时,然后在200℃保温4小时。
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