[发明专利]钯掺杂TiO2纳米管阵列肖特基结氢敏传感器的制备方法

摘要

本发明公开了属于半导体气敏元件制备技术领域的一种钯掺杂二氧化钛纳米管阵列肖特基结氢敏传感器的制备方法。本发明是以金属钛丝为原料，采用阳极氧化法、热处理和微乳液阴极沉积法实现的。与现有技术相比，本发明的有益效果为：工艺简单、节省原料，体积小巧、工艺参数容易控制，对气氛没有特殊要求；微乳液沉积，使钯纳米粒子在二氧化钛纳米管表面及管壁均匀分布；金属钯在氢敏过程中是很好的催化剂，通过溢流效应，在增大灵敏度的同时，也降低了传感器的工作温度；点接触连接，极大增大了材料的比表面积，也起到增大灵敏度的作用。

主权项

一种钯掺杂TiO2纳米管阵列肖特基结氢敏传感器的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：（1）阳极氧化：将超声清洗过的钛丝在电解质醇溶液中进行阳极氧化，电压为40‑60V，氧化时间为10~30min；（2）热处理：将阳极氧化后的钛丝在空气中进行退火处理，2h内从室温升温至500℃，保温2h；（3）阴极沉积：以热处理后的钛丝为阴极，浸入钯的微乳液中，石墨纸作为阳极，进行沉积，电压为2‑3V，时间30‑60s；（4）热处理：沉积后的钛丝在空气中1h内从室温升温至350℃，保温1h，得到长有二氧化钛纳米管的钛丝；（5）将两根长有二氧化钛纳米管的钛丝十字交叉连接，分别从每根钛丝的一端引出导线，用银浆固定作为两极，并通过热处理使接触点稳定，即得到肖特基结氢敏传感器。