[发明专利]钯掺杂TiO2纳米管阵列肖特基结氢敏传感器的制备方法

权利要求书

1.一种钯掺杂TiO₂纳米管阵列肖特基结氢敏传感器的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

（1）阳极氧化：将超声清洗过的钛丝在电解质醇溶液中进行阳极氧化，电压为40-60V，氧化时间为10~30min；

（2）热处理：将阳极氧化后的钛丝在空气中进行退火处理，2h内从室温升温至500℃，保温2h；

（3）阴极沉积：以热处理后的钛丝为阴极，浸入钯的微乳液中，石墨纸作为阳极，进行沉积，电压为2-3V，时间30-60s；

（4）热处理：沉积后的钛丝在空气中1h内从室温升温至350℃，保温1h，得到长有二氧化钛纳米管的钛丝；

（5）将两根长有二氧化钛纳米管的钛丝十字交叉连接，分别从每根钛丝的一端引出导线，用银浆固定作为两极，并通过热处理使接触点稳定，即得到肖特基结氢敏传感器。

2.根据权利要求１所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述电解质醇溶液为氟化铵、去离子水、乙二醇按质量比1:(15~20): (150~200)混合均匀后，再加氢氟酸，最终溶液中，氢氟酸的质量分数为0.15%~0.20%。

3.根据权利要求１所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述钯的微乳液为曲拉通、正己醇、环己烷、含钯水溶液按体积比为3:2:5:1配成，其中含钯水溶液中钯离子的浓度为0.5-2mol/L。