[发明专利]一种离子注入系统中束流均匀性调节装置无效
| 申请号： | 201210442556.7 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103811251A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 庞云玲 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/147 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入系统中束流均匀性调节装置，包括：束线通路(1)、线圈上、下侧盖板(2)、多极线圈小磁极(3)、多极线圈(4)、上、下底板(5)、冷却水管道(6)、接线端子(7)，其中包含上下对称布置12组多极线圈小磁极(3)和多极线圈(4)，其中，每一组多极线圈小磁极(3)和多极线圈(4)对称布置在束线通路(1)两侧，串联连接，由同一个电源供电；共有12个电源单独供电，通过调节线圈内的电流，在束线通路(1)内产生不同的磁场分布，达到调节束线路径的目的。本发明涉及离子注入装置，隶属于半导体制造领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 系统 中束流 均匀 调节 装置 | ||
【主权项】：
一种离子注入系统中束流均匀性调节装置，包括：束线通路(1)、线圈上、下侧盖板(2)和(8)、多极线圈小磁极(3)、多极线圈(4)、上、下底板(5)和(9)、冷却管道(6)、接线端子(7)，其特征在于：调节装置上下对称布置在束线通路(1)两侧。
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