[发明专利]测量多晶硅温度变化的方法在审
| 申请号： | 201210442454.5 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103808425A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;陈芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/18 | 分类号： | G01K7/18 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量多晶硅温度变化的方法，该方法包括：测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R0，以及所述金属在各个温度点下的电阻，获得所述金属的电阻温度系数TCR；将产生温度变化的预定电流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在电流I作用下产生的温度变化△T与所述金属相同；测量所述金属在温度变化△T后的电阻R1；根据所述金属的TCR、R0和R1，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。本发明还公开了一种测量多晶硅温度变化的方法。采用本发明能够获得多晶硅在电流作用下的温度变化。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 多晶 温度 变化 方法 | ||
【主权项】：
一种测量多晶硅温度变化的方法，该方法包括：测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R0，以及所述金属在各个温度点下的电阻，获得所述金属的电阻温度系数TCR；将产生温度变化的预定电流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在电流I作用下产生的温度变化△T与所述金属相同；测量所述金属在温度变化△T后的电阻R1；根据所述金属的TCR、R0和R1，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
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