[发明专利]测量多晶硅温度变化的方法在审
| 申请号： | 201210442454.5 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103808425A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;陈芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/18 | 分类号： | G01K7/18 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测量 多晶 温度 变化 方法 | ||
1.一种测量多晶硅温度变化的方法，该方法包括：
测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R0，以及所述金属在各个温度点下的电阻，获得所述金属的电阻温度系数TCR；
将产生温度变化的预定电流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在电流I作用下产生的温度变化△T与所述金属相同；
测量所述金属在温度变化△T后的电阻R1；
根据所述金属的TCR、R0和R1，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
根据公式得到R1=（TCR×△T＋1）R0；
在上述公式中代入TCR、R1和R0，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R0，以及所述金属在各个温度点下的电阻，采用四点法。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述各个温度点采用烘箱或晶圆载物吸盘加热的方法获得。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，测量所述金属在温度变化△T后的电阻R1，采用四点法。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属为自对准金属硅化物。
7.一种测量多晶硅温度变化的方法，该方法包括：
测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R0，以及所述金属在各个温度点下的电阻，获得所述金属的电阻温度系数TCR；
测量所述多晶硅和金属在室温下的总电阻R＋R0；
将产生温度变化的预定电流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在电流I作用下产生的温度变化△T与所述金属相同；
测量所述多晶硅和金属在温度变化△T后的总电阻R＋R1；
根据所述金属的TCR、R0以及R1-R0，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，
根据公式得到R1-R0=TCR×△T×R0；
在上述公式中代入TCR、R0以及R1-R0，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，测量所述多晶硅和金属在室温下的总电阻采用四点法。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，测量所述多晶硅和金属在温度变化△T后的总电阻采用四点法。
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