[发明专利]集紫外光/臭氧表面处理与电学性质原位测试的真空设备有效
申请号: | 201210442424.4 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN102983064A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 陶海华;张双喜;王庆康 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;G01R31/00 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种集紫外光/臭氧表面处理与电学性质原位测试的真空设备,主要由真空腔室、紫外光源系统、真空泵系统和真空设备控制系统以及电子元件测试系统组成,真空腔室由高真空内腔室和低真空外腔室组成:外腔室顶端固定紫外灯光源;内腔室具有高度可调节的样品台,其内置加热和水冷系统。本发明能够准确控制紫外光/臭氧对材料的表面处理过程,如石墨烯,并对微纳电子元件的电学性质进行原位测量和表征,它在材料的表面清洗、改性以及电子元件的电学性能原位表征方面具有重要的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 紫外光 臭氧 表面 处理 电学 性质 原位 测试 真空设备 | ||
【主权项】:
一种集紫外光/臭氧表面处理与电学性质原位测试的真空设备,其特征在于,主要由真空腔室、紫外光源系统、真空泵系统和真空设备控制系统以及电子元件测试系统组成,其中,所述紫外光源系统包括控制电源和紫外灯管,所述真空腔室包括外腔室和内腔室,所述外腔室内安装所述紫外灯管,所述内腔室内设置样品台以及加热和水冷装置,并具有气体输入、输出端口,所述紫外灯管发射的光通过内腔室的石英窗口,照射到样品台上,所述内腔室具有一定压强的氧气,其经过紫外光照射后生成臭氧和氧原子,对样品台上的样品表面进行清洗和改性;所述真空泵系统和真空设备控制系统用于产生并控制真空腔室内的真空度,所述电子元件测试系统能够对电子元件的电学性质进行原位测试表征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造