[发明专利]一种太阳能电池制造方法

摘要

本发明涉及一种太阳能电池制造方法，巧妙的利用氢氟酸缓冲液对二氧化硅、氮化硅的刻蚀比，保留氮化硅掩蔽层作为电池的抗反射层，因此本发明烧制电极之前无需再单独制作抗反射层，简化了工艺，提高了生产效率。本发明利用氮化硅对杂质的阻挡性很好的解决了太阳能电池选择性掺杂的问题。提高了金属电极以下的区域的掺杂浓度，降低了串联电阻，减小了电极以外区域的掺杂浓度减少了光生载流子的复合，提高了短路电流。而非牺牲性的氮化硅掩蔽层的使用既可以防止其他杂质元素扩散进入硅片，又可以将工艺中的氮化硅刻蚀槽为主栅线的对准标记，使生产时的对准更加简单化。

主权项

一种太阳能电池制造方法，包括以下步骤：第一步、对制绒后的P型硅片衬底进行预掺杂，形成P‑N结；第二步、硅片表面沉积一层氮化硅层；第三步、硅片表面开设电极窗口；第四步、利用掺磷的二氧化硅对硅片表面进行二次沉积，在硅片表面形成磷硅玻璃层，同时完成对硅片电极窗口区域的选择性掺杂；第五步、用氢氟酸缓冲液处理硅片，去除硅片表面的磷硅玻璃层，保留氮化硅层作为抗反射层；第六步、对硅片的电极窗口进行浆料丝网印刷并烧制形成金属电极。