[发明专利]一种太阳能电池制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池制造方法，包括以下步骤：

第一步、对制绒后的P型硅片衬底进行预掺杂，形成P-N结；

第二步、硅片表面沉积一层氮化硅层；

第三步、硅片表面开设电极窗口；

第四步、利用掺磷的二氧化硅对硅片表面进行二次沉积，在硅片表面形成磷硅玻璃层，同时完成对硅片电极窗口区域的选择性掺杂；

第五步、用氢氟酸缓冲液处理硅片，去除硅片表面的磷硅玻璃层，保留氮化硅层作为抗反射层；

第六步、对硅片的电极窗口进行浆料丝网印刷并烧制形成金属电极。

2.根据权利要求1所述太阳能电池制造方法，其特征是：第四步中，选择性掺杂的浓度为10¹⁹/cm³、选择性掺杂的时间为5min、选择性掺杂的温度为800℃。

3.根据权利要求2所述太阳能电池制造方法，其特征是：第五步中，用氢氟酸缓冲液处理硅片约40分钟。

4.根据权利要求3所述太阳能电池制造方法，其特征是：P型硅片衬底的电阻率为3Ω·m。

5.根据权利要求4所述太阳能电池制造方法，其特征是：第一步中预掺杂浓度为10¹⁶/cm³，预掺杂时间为60min，预掺杂温度为900℃。