[发明专利]一种太阳电池背面局部接触结构及其制造方法和对应的太阳电池及其制造方法

摘要

本发明提供一种太阳电池背面局部接触结构及其制造方法和对应的太阳电池及其制造方法。现有技术在制造背面局部结构时采用旋涂或喷涂硼聚合物存在着不利于工艺集成、利用效率低和存在毒害危险等问题。本发明的太阳电池背面局部接触结构制造方法和对应太阳电池制造方法，先将硅片清洗、正面扩散制PN结和边缘刻蚀，再在硅片背面沉积钝化层在钝化层上沉积与所述硅片掺杂类型相同的掺杂非晶介质层，之后通过激光辐射硅片背面局部区域以在硅片背面上所述局部区域形成局部重掺区，并在掺杂非晶介质层和钝化层的对应位置上形成开口，最后在硅片背面上形成经由开口与局部重掺区电性连接的背面电极。本发明可有效提高工艺的集成度、源的利用率和操作的安全无毒性。

主权项

一种太阳电池背面局部接触结构制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a1、提供完成清洗、正面扩散制PN结、边缘刻蚀的硅片；b1、在所述硅片背面沉积钝化层；c1、在所述钝化层上沉积与所述硅片掺杂类型相同的掺杂非晶介质层；d1、通过激光辐射硅片背面局部区域以在硅片背面上所述局部区域形成局部重掺区，并在掺杂非晶介质层和钝化层的对应位置上形成开口；e1、在硅片背面上形成经由所述开口与所述局部重掺区电性连接的背面电极。