[发明专利]一种太阳电池背面局部接触结构及其制造方法和对应的太阳电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳电池背面局部接触结构制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a1、提供完成清洗、正面扩散制PN结、边缘刻蚀的硅片；b1、在所述硅片背面沉积钝化层；c1、在所述钝化层上沉积与所述硅片掺杂类型相同的掺杂非晶介质层；d1、通过激光辐射硅片背面局部区域以在硅片背面上所述局部区域形成局部重掺区，并在掺杂非晶介质层和钝化层的对应位置上形成开口；e1、在硅片背面上形成经由所述开口与所述局部重掺区电性连接的背面电极。

2.按照权利要求1所述的太阳电池背面局部接触结构制造方法，其特征在于，所述硅片的掺杂类型为P型，所述掺杂非晶介质层为掺硼a-Si_mO_xC_yN_z或掺硼a-Si_mO_xC_yN_z:H，所述m和y不能同时为零。

3.按照权利要求2所述的太阳电池背面局部接触结构制造方法，其特征在于，所述掺杂非晶介质层为掺硼a-Si、掺硼a-Si:H、掺硼a-SiO_x、掺硼a-SiO_x:H、掺硼a-SiC_y、掺硼a-SiC_y:H、掺硼a-SiN_z、掺硼a-SiN_z:H、掺硼a-Si_mC_yN_z、掺硼a-Si_mC_yN_z:H、掺硼a-C_yN_z、掺硼a-C_yN_z:H、掺硼a-C_y、掺硼a-C_y:H中的一种或多种。

4.按照权利要求3所述的太阳电池背面局部接触结构制造方法，其特征在于，所述掺杂非晶介质层为掺硼a-Si_mO_xC_yN_z或掺硼a-Si_mO_xC_yN_z:H，其通过等离子增强化学气相沉积工艺形成，所述工艺气体包括乙硼烷(B₂H₆)或三甲基硼(TMB)或三氟化硼(BF₃)，所述工艺温度为100～450℃，所述硼在非晶硅中的掺杂浓度为1×10¹⁷～1×10²²。

5.按照权利要求3或4所述的太阳电池背面局部接触结构制造方法，其特征在于，在步骤d1中，通过连续激光器或脉冲激光器对硅片背面区域进行辐射，所述辐射速度为100～2000mm/s，所述局部重掺区在硅片背表面的有效硼掺杂浓度为1×10²⁰～8×10²⁰。

6.按照权利要求1所述的太阳电池背面局部接触结构制造方法，其特征在于，所述钝化层为氧化硅和氮化硅的叠层，所述氧化硅和氮化硅的厚度范围分别为5～20nm和50～300nm。

7.按照权利要求1所述的太阳电池背面局部接触结构制造方法，其特征在于，所述钝化层为三氧化二铝，其厚度范围为5～300nm。

8.按照权利要求1所述的太阳电池背面局部接触结构制造方法，其特征在于，所述硅片厚度范围为150～400μm，所述掺杂非晶介质层厚度范围为0.01～10μm。

9.按照权利要求1所述的太阳电池背面局部接触结构制造方法，其特征在于，所述局部重掺区为多个线形、多个线段形、多个圆形或圆环形、多个方形或方框形，或多个多边形或多边框形，所述多个线形、多个线段形、多个圆形或圆环形、多个方形或方框形，多个多边形或正边框形排列成面阵列结构，所述局部重掺区的面积占硅片背面总面积的0.1％～10％。

10.按照权利要求1所述的太阳电池背面局部接触结构制造方法，其特征在于，在步骤e1中，通过丝网印刷铝浆或银铝浆或者溅射、蒸发铝并进行热处理在硅片背面形成背面电极。