[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201210436576.3 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103094043A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 置田尚吾;渡边彰三;岩井哲博 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有简单的装置结构而实现小型化，且能够有效降低基板或托盘上的气体的流动或压力分布偏差的等离子体处理装置。干式蚀刻装置(1)的腔室(5)具备：具有顶壁(8)、底壁(7)、侧壁(9)、端壁(11)及开口端(12)的一体结构的腔室主体(6)；封闭开口端(12)的盖体(16)。在处理对象物支承台(26)的基座(31)的侧部(31a)设有凹部(51)，该凹部(51)确保气体在端壁(11)和处理对象物支承台(26)间流动的充分空间。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，具备：一体结构的腔室主体，其具备：在上下方向上相互对置的顶壁及底壁、相互对置的一对侧壁、设置有等离子体处理的处理对象物的搬入搬出口的一端侧的端壁、另一端侧的开口端；盖体，其固定在所述腔室主体上且以划分产生等离子体的腔室的方式封闭所述开口端；处理对象物支承台，其在作为所述腔室的所述端壁侧的区域的处理室内保持配置在所述底壁上的所述处理对象物；气体供给口，其设置在所述处理对象物支承台的上方，用于向所述腔室内供给等离子体产生用的气体；排气口，其在作为所述腔室的所述开口端侧的区域的排气室内设置在所述底壁上，用于排出所述腔室内的所述气体；第一凹部，其设置在所述处理对象物支承台的侧部的至少与所述端壁及所述侧壁对置的部位。
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