[发明专利]等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置。

背景技术

在等离子体处理装置中，不仅将基板自身收容于腔室内进行处理，也通过利用能够搬运多个基板的托盘而实现分批处理。伴随基板或托盘的大型化，导致等离子体处理装置尤其是腔室大型化。若基板或托盘大型化，则向腔室内导入及排出的气体的流动或压力在基板或托盘上的分布产生偏差而出现不均化，在处理特性(例如蚀刻特性)方面分布不均。

已知有如下作为使基板或托盘上的气体的流动或压力分布偏差消失的主要对策。第一对策是在腔室的载置基板或托盘的下部电极的正下方配置包含TMP(涡轮式分子泵)的排气机构(专利文献1)。第二对策为设置多个排气机构(专利文献2)。第三对策是在腔室内设置与配置下部电极的处理室独立的大型的排气室(专利文献3)。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开平4-53126号

【专利文献2】日本特开2004-47558号

【专利文献3】日本特开平11-40544号

最近，尤其是在LED制造等领域，更加谋求装置的低价化。然而，第一对策导致装置结构复杂及大型化以及由其引起的设置成本等的高成本化。另外，在第一对策中，存在产生故障时异物侵入排气机构的TMP内的危险性。进而，第二及第三对策也导致装置结构复杂及大型化以及由其引起的设置成本等的高成本化。如上所述，对于第一至第三对策的任一种而言，都无法避免装置结构的复杂化及大型化导致的高成本化。

发明内容

本发明的课题在于，提供一种具有简单的装置结构且小型化，并且能够有效降低在作为基板或托盘的处理对象物上的气体的流动或压力分布的不均的等离子体处理装置。

本发明提供一种等离子体处理装置，具备：一体结构的腔室主体，其具备：在上下方向上相互对置的顶壁及底壁、相互对置的一对侧壁、设置有等离子体处理的处理对象物的搬入搬出口的一端侧的端壁、另一端侧的开口端；盖体，其固定在所述腔室主体上且以划分产生等离子体的腔室的方式封闭所述开口端；处理对象物支承台，其在作为所述腔室的所述端壁侧的区域的处理室内对配置在所述底壁上的所述处理对象物进行保持；气体供给口，其设置在所述处理对象物支承台的上方，用于向所述腔室内供给等离子体产生用的气体；排气口，其在作为所述腔室的所述开口端侧的区域的排气室中设置在所述底壁上，用于排出所述腔室内的所述气体；第一凹部，其设置在所述处理对象物支承台的侧部的至少与所述端壁及所述侧壁对置的部位。

通过在处理对象物支承台的侧部的至少与端壁及侧壁对置的部位设置凹部，从而能够在不扩大腔室的外形尺寸的情况下，确保气体在处理对象物支承台的侧部和端壁以及侧壁间顺畅流动的空间。其结果是，能够使在处理对象物(基板或托盘)上从气体供给口向排气口的气体流动或气体压力分布没有偏差而实现均匀化。另外，即使为在一体结构的腔室主体上固定盖体的简单结构，也能够将腔室的外形尺寸抑制为最小必要限度。即，能够在具有简单的装置结构且小型化的同时，有效降低处理对象物上的气体流动或压力分布的偏差。

优选具备第二凹部，该第二凹部设置在所述端壁的内侧面的比所述搬入搬出口靠下方侧的位置。

根据该结构，能够在不扩大腔室的外形尺寸的情况下，进一步扩大气体在处理对象物支承台的侧部与端壁之间流动的空间。其结果是，能够使处理对象物支承台的侧部与端壁之间的气体的流动更顺畅。

优选所述排气室中的所述一对侧壁的内表面之间的间隔固定。

根据该结构，由于排气室中朝向气体排气口的气体的流动更顺畅，因此，能够更有效地降低处理对象物上的气体的流动或压力分布的偏差。

发明效果

根据本发明，在处理对象物支承台的侧部设有凹部，且在一体结构的腔室主体上固定盖体而构成腔室。由此，能够具备简单的装置结构且实现小型化，并且能够有效降低在处理对象物(基板或托盘)上的气体的流动或压力分布的不均，从而能够实现处理对象物上的等离子体处理特性均匀化的等离子体处理装置。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式涉及的干式蚀刻装置的剖视图。

图2是沿图1的II-II线的剖视图。

图3是沿图1的III-III线的剖视图。

图4是处理对象物支承台周边的放大剖视图。

图5A是托盘位于基板载置部的上方的状态的示意剖视图。

图5B是托盘向基板载置部下降过程中的状态的示意剖视图。

图5C是托盘向基板载置部载置后的状态的示意剖视图。