[发明专利]一种接合焊盘结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210435335.7 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103794732B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李玉军;郭峰;赵本刚 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种接合焊盘结构及其制造方法，所述接合焊盘结构包含设置于基板上的多晶硅层，所述多晶硅层呈条状平行排列；位于所述多晶硅层上的第一金属层和第二金属层，并且所述第二金属层位于所述第一金属层之上；位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的间隔层，所述间隔层包括多个凸出块；其中，所述第二金属层表面具有与所述多个凸出块对应的多个凸起。本发明改进了接合焊盘结构，实现了接合焊盘结构的表面凸起与集成电路接合引出点之间的更强的作用力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接合 盘结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种接合焊盘结构，其特征在于，包含：设置于基板上的多晶硅层，所述多晶硅层呈条状平行排列，其中，所述多晶硅层刻蚀成凸点以抬高接合引出点的位置；位于所述多晶硅层上的第一金属层和第二金属层，并且所述第二金属层位于所述第一金属层之上；位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的间隔层，所述间隔层包括多个凸出块，所述间隔层由氮化硅制成；其中，所述第二金属层表面具有与所述多个凸出块对应的多个凸起；所述接合焊盘结构位于显示区域外围，所述接合焊盘结构中的所述多晶硅层、第一金属层、第二金属层以及间隔层与显示区域的像素区域结构同时形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司，未经上海天马微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210435335.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
