[发明专利]TEM样品的制备方法有效
| 申请号： | 201210435237.3 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103792114A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 段淑卿;陈柳;齐瑞娟;李明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TEM样品制备方法，通过预先将保护层覆盖的晶片区域划分成相间隔的多个子区域，对每个子区域进行样品两侧壁的细抛减薄，可以在一次TEM样品制备流程中制备出多个TEM样品，极大地节省了静态存储器等半导体器件的NMOS、PMOS的TEM样品的制备时间。 | ||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TEM样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶片，在所述晶片上表面形成保护层；在所述保护层两侧形成两个洞；在所述两个洞的底部分别形成开口；将所述保护层覆盖的区域划分为多个相互间隔的子区域，在所述两个洞中分别对每个子区域的晶片侧壁细抛；切断每个子区域与所述晶片的连接部分，形成多个TEM样品。
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