[发明专利]TEM样品的制备方法有效
| 申请号： | 201210435237.3 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103792114A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 段淑卿;陈柳;齐瑞娟;李明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 | ||
1.一种TEM样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一晶片，在所述晶片上表面形成保护层；
在所述保护层两侧形成两个洞；
在所述两个洞的底部分别形成开口；
将所述保护层覆盖的区域划分为多个相互间隔的子区域，在所述两个洞中分别对每个子区域的晶片侧壁细抛；
切断每个子区域与所述晶片的连接部分，形成多个TEM样品。
2.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述保护层的材质为铂和/或钨。
3.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述保护层的形状为长条状。
4.如权利要求3所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述保护层的长度为5~15μm。
5.如权利要求3所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述保护层的宽度为0.5~5μm。
6.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述洞的长度至少大于所述保护层的长度。
7.如权利要求1或6所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述洞的宽度3~10μm。
8.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，相邻两个子区域的间隔为0.5~2μm。
9.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述TEM样品的厚度小于0.1μm。
10.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，细抛后的相邻两个字区域的同侧侧壁不在同一条直线上。
11.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，细抛后的相邻两个字区域的同侧侧壁在同一条直线上。
12.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述开口为U型开口。
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