[发明专利]发光二极管阵列无效
申请号: | 201210430788.0 | 申请日: | 2012-11-01 |
公开(公告)号: | CN103531687A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 田运宜;梁建钦 | 申请(专利权)人: | 隆达电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L25/13 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种发光二极管阵列在此揭露,其中发光二极管阵列包括导电基板、多个发光二极管芯片、多条导线以及绝缘结构。发光二极管芯片配置于导电基板上,导线连接发光二极管芯片,绝缘结构位于导线下方,其中当导线塌陷时,绝缘结构阻隔导线与导电基板,以避免导线接触导电基板。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 阵列 | ||
【主权项】:
一种发光二极管阵列,其特征在于,包括:一导电基板;多个发光二极管芯片,配置于该导电基板上;多条导线,连接所述多个发光二极管芯片;以及一绝缘结构,位于所述多条导线下方,其中当所述多条导线塌陷时,该绝缘结构阻隔所述多条导线与该导电基板,以避免所述多条导线接触该导电基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于隆达电子股份有限公司,未经隆达电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210430788.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高锰酸盐异相催化氧化的水处理方法
- 下一篇:物料均质方法