[发明专利]一种应用于存储单元的延时控制电路以及静态随机存储器有效
| 申请号： | 201210428299.1 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102915761A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 张立军;郑坚斌;王子欧;张其笑;季爱明;毛凌峰;朱灿焰 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种应用于存储单元的延时控制电路，包括：控制分压电路、选择电路以及下拉电路，当电压Vcc大于第一预设值时，下拉电路中的第一NMOS管以及第二NMOS管工作在饱和区，当电压Vcc小于第二预设值时，第二NMOS管工作在亚阈值区。本发明提供的延时控制电路能够在较低的工作电压时，保证第二NMOS工作在亚阈值区域，漏电流很小，可以实现对虚拟位线DBL的放电速度的降低，从而实现对灵敏放大器控制信号SAEN的延迟，可以保证SAEN信号到达时，存储阵列的读出BL和BLB有比较大的易于放大器读出的压差deltav，保证电路功能正确，没有逻辑错误。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 存储 单元 延时 控制电路 以及 静态 随机 存储器 | ||
【主权项】：
一种应用于存储单元的延时控制电路，其特征在于，包括：控制分压电路、选择电路以及下拉电路，所述下拉电路包括第一NMOS管以及第二NMOS管；所述控制分压电路用于比较虚拟字线信号以及外接控制信号，并输出第一控制信号以及第一控制电平；所述选择电路用于接收所述第一控制信号，并根据所述第一控制信号输出第二控制电平；所述第一控制电平控制所述第二NMOS管的开启和关断，所述第二控制电平控制所述第一NMOS管的开启和关断，当电压Vcc大于第一预设值时，所述第一NMOS管以及所述第二NMOS管工作在饱和区，当电压Vcc小于第二预设值时，所述第二NMOS管工作在亚阈值区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210428299.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
