[发明专利]一种双极集成电路放大系数工艺改进方法

摘要

本发明涉及一种双极集成电路放大系数工艺改进方法，包括常规工艺制作BJT与JFET相兼容的双极集成电路的基本电路的步骤、在基本电路上制作电极引线步骤、以及后续工艺整理步骤，其特征在于所述的基本电路上制作电极引线的步骤为：1、接触孔一次光刻及刻蚀；2、孔氧化；3、淀积氮化硅；4、接触孔二次光刻及孔二次刻蚀，5、溅射纯铝，6、光刻刻蚀形成电极引线（25）及压焊点。本发明且具有如下优点：（1）能有效的释放氮化硅介质膜的应力，使其与此类双极电路的特性相匹配；（2）有效预防PNP管放大系数的衰减，稳定PNP管放大系数；（3）技术途径易于实现。

主权项

一种双极集成电路放大系数工艺改进方法,包括常规工艺制作BJT与JFET相兼容的双极集成电路的基本电路的步骤、在基本电路上制作电极引线步骤、以及后续工艺整理步骤，其特征在于所述的基本电路上制作电极引线的步骤为：a、基本电路表面淀积LTO：在420℃的炉温下，通过LPCVD淀积一层450nm的二氧化硅LTO层（20），然后在850℃的温度下对淀积的LTO层进行增密；b、接触孔一次光刻：利用光刻掩膜技术，形成基本电路中的引线接触孔（21）的图形；经过孔一次刻蚀将接触孔内的氧化层去除干净，形成引线接触孔（21）；c、引线接触孔孔氧化：通过氧化的方式在LTO层、以及引线接触孔内生长一定厚度的氧化层（22）；d、淀积氮化硅：在氧化层（22）以及引线接触孔的氧化层上，通过LPCVD淀积一层氮化硅薄膜（23）；e、引线接触孔二次光刻：利用光刻掩膜技术，对每个引线接触孔（21）进行第二次套刻；并将引线接触孔内的氮化硅薄膜（23）和氧化层（22）刻蚀干净，在底部形成小于引线接触孔（21）的二次引线孔（24），每个二次引线孔（24）分别与下面基本电路中相应的基区硼（14）、发射区磷（16）及栅区磷（19）接触；f、溅纯铝：在基本电路表面溅射一层1.2～1.5μm的纯铝膜；g、铝线条光刻：利用光刻技术，形成具体的铝连线及压焊点图形；然后用腐铝液将光刻图形上多余的铝膜腐蚀干净，分别形成与相应的基区硼（14）、发射区磷（16）及栅区磷（19）相连的电极引线（25）及压焊点。