[发明专利]电阻式存储器结构、其操作方法及制作方法有效
| 申请号： | 201210425540.5 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103682091A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张鼎张;陈敏甄;徐咏恩;张冠张;简富彦 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种电阻式存储器结构、其操作方法及制作方法，该电阻式存储器结构包括一第一电极层、一披覆于该第一电极层的电阻切换层、一披覆于该电阻切换层的扩散金属层，及一披覆于该扩散金属层的第二电极层，其中在该电阻切换层内设置有至少一电极延伸部。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 结构 操作方法 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电阻式存储器结构，其特征在于，包括：第一电极层；电阻切换层，披覆于该第一电极层，该电阻切换层内设置有至少一电极延伸部；扩散金属层，披覆于该电阻切换层；及第二电极层，披覆于该扩散金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院，未经财团法人工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210425540.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无限美烟花生产工艺
- 下一篇：一种移动植物墙
