[发明专利]一种晶边刻蚀方法在审
| 申请号： | 201210422871.3 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794468A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶边刻蚀方法，涉及半导体技术领域。该晶边刻蚀方法，在对拟进行晶边刻蚀的膜层进行晶边刻蚀前，包括对所述拟进行晶边刻蚀的膜层的晶边进行监测并根据反馈的监测结果确定所述膜层的晶边刻蚀距离的步骤。本发明的晶边刻蚀方法，由于在各膜层的晶边刻蚀前对晶边进行监测并根据反馈的监测结果确定晶边刻蚀距离，因此可以对各膜层的晶边实现精确刻蚀，可以更好地改善各膜层在晶片边缘造成的缺陷、击穿以及应力过剩等问题，提高了最终制造的半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种晶边刻蚀方法，其特征在于，所述方法在对拟进行晶边刻蚀的膜层进行晶边刻蚀前，包括对所述拟进行晶边刻蚀的膜层的晶边进行监测并根据反馈的监测结果确定所述膜层的晶边刻蚀距离的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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