[发明专利]用于等离子体处理腔室的静电夹盘组件及制造方法有效
申请号: | 201210421961.0 | 申请日: | 2012-10-29 |
公开(公告)号: | CN103794445A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 贺小明;倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01J37/20 | 分类号: | H01J37/20;H01L21/683;H01J37/32;C23C16/458;H01J9/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种用于等离子体处理腔室中的静电夹盘的增强型涂层。所述增强型涂层利用等离子体增强型物理气相沉积制成。所述涂层通常是Y2O3/Al2O3,也可以是其他材料的组合。并且,它可以是多层涂层,以使得一中间涂层利用标准等离子体喷涂形成,一顶层涂层用PEPVD方式形成。整个静电夹盘组件可由涂层“封装”而成。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子体 处理 静电 组件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于等离子体处理腔室的静电夹盘组件,其中,包括:基体:设置于所述基体之上的绝缘层;设置于所述绝缘层之上的电极;以及,由Y2O3/Al2O3或者YF3/Al2O3的混合物组成的增强型涂层,所述增强型涂层覆盖了所述静电夹盘组件,除了所述基体的背面的部分。
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