[发明专利]用于等离子体处理腔室的静电夹盘组件及制造方法

权利要求书

1.一种用于等离子体处理腔室的静电夹盘组件，其中，包括：

基体：

设置于所述基体之上的绝缘层；

设置于所述绝缘层之上的电极；以及，

由Y₂O₃/Al₂O₃或者YF₃/Al₂O₃的混合物组成的增强型涂层，所述增强型涂层覆盖了所述静电夹盘组件，除了所述基体的背面的部分。

2.根据权利要求1所述的静电夹盘组件，其特征在于，还进一步地包括一设置于所述增强型涂层之下的底部涂层。

3.根据权利要求2所述的静电夹盘组件，其特征在于，所述底部涂层包括Y₂O₃或Al₂O₃中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的静电夹盘组件，其特征在于，所述底部涂层包括Y₂O₃，YF₃，YAG，ErO₂，SiC，Si₃N₄，SiO₂，ZrO₂，Al₂O₃,AlN中之一或者它们的任意组合。

5.根据权利要求1所述的静电夹盘组件，其特征在于，所述增强型涂层包括由等离子体增强型物理沉积方式沉积而成的Y₂O₃/Al₂O₃或YF₃/Al₂O₃。

6.一种用于制造静电夹盘组件的方法，其中，包括如下步骤：

制造一绝缘层于基体之上，制造一电极于所述绝缘层之上以形成所述静电夹盘组件；

将所述静电夹盘组件插入真空处理腔室中，配置使得其面对一设置于所述真空处理腔室中的源材料；

在所述真空处理腔室中蒸发或溅射所述源材料；

向所述真空处理腔室中注入包括反应性组份和非反应性组份的气体；

在所述静电夹盘组件的前方形成等离子体，以使得所述反应性组份和非反应性组份的离子轰击所述静电夹盘组件，以形成一涂层于所述静电夹盘组件之上，其中，所述涂层包括来自所述源材料的原子和所述反应组份的原子。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述源材料包括钇和铝。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述非反应性组份包括氩，所述反应性组份包括氧或氟。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括如下步骤：

施加负偏置电压于所述静电夹盘组件，并保持所述真空处理腔室中的等离子体。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法进一步地包括如下步骤：

在将所述静电夹盘组件插入所述真空处理腔室中之前，施加一中间层或涂层于所述静电夹盘组件上。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述中间层或涂层是由等离子体喷涂制程来制造的。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述施加中间层或涂层步骤包括以等离子体喷涂制程方式来施加以下涂层：Y₂O₃,YF₃,YAG，ErO₂,SiC,Si₃N₄,SiO₂,ZrO₂,Al₂O₃,AlN之一,或者它们的组合。