[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

根据本发明的半导体器件包括用作n‑漂移层1的半导体基板；在半导体器件的正面形成的沟槽IGBT的表面器件结构；半导体基板的正面侧的表面部分中的层间绝缘膜7，该层间绝缘膜7包括在其中形成的接触孔11；层间绝缘膜7上的金属电极层8；包括在金属电极层8侧的层间绝缘膜7的表面部分中形成的第一开口12、以及连接到第一开口12的半导体基板侧的第二开口13的接触孔11；在层间绝缘膜7的金属电极层8侧且在沟槽6的平面图案中与沟槽6的延伸方向垂直的第一开口12的第一开口宽度w1比在半导体基板侧且在沟槽6的平面图案中与沟槽6的延伸方向垂直的第一开口12的第二开口宽度w2宽；以及经由接触孔11连接到p型沟道区4和n+源区5的金属电极层8。根据本发明的半导体器件及其制造方法便于提高半导体器件的可靠性。

主权项

一种半导体器件，包括：用作第一导电类型的第一半导体区的第一导电类型的半导体基板；在所述半导体基板的正面侧的表面部分中形成的第二导电类型的第二半导体区；穿过所述第二半导体区进入所述第一半导体区地形成的沟槽，所述沟槽在平面图案中彼此平行地延伸；所述沟槽中隔着栅绝缘膜的第一电极；与所述第二半导体区的另一表面相对的所述第二半导体区的相对表面上的层间绝缘膜，所述第二半导体区通过所述层间绝缘膜与所述第一半导体区接触；所述层间绝缘膜上的第二电极，所述第二电极经由在所述层间绝缘膜中形成的接触孔连接到所述第二半导体区；所述接触孔包括第一开口、以及在所述半导体基板的一侧连接到所述第一开口的第二开口；与所述沟槽的延伸方向垂直且在所述层间绝缘膜和所述第二电极之间的界面侧的所述第一开口的第一开口宽度比与所述沟槽的延伸方向垂直且在所述半导体基板侧的所述第一开口的第二开口宽度宽；与所述沟槽的延伸方向垂直且在所述半导体基板侧的第二开口的宽度等于所述第一开口的第二开口宽度；以及所述层间绝缘膜的厚度小于或等于所述第一开口的第一开口宽度的0.28倍，所述层间绝缘膜的厚度大于或等于所述第一开口的第二开口宽度的0.6倍，所述第一开口的深度为所述层间绝缘膜的厚度的50％至60％。