[发明专利]具有穿孔接触的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210410701.3 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103065968A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·格罗斯;赫曼·格鲁贝尔;安德烈亚斯·迈塞尔;马库斯·曾德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李静;张云肖 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有穿孔接触的半导体器件及其制造方法。根据一个实施例，形成半导体器件的方法包括：提供具有半导体衬底和介质区的晶圆，该半导体衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，介质区位于第一侧上；将晶圆的第一侧安装在载体系统上；从第二侧穿过半导体衬底至介质区蚀刻深度垂直沟槽，从而使台面区与其余的半导体衬底绝缘；以及用介质材料填充深度垂直沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿孔 接触 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；以及介质区，位于所述第一侧上；将所述晶圆的所述第一侧安装在载体系统上；从所述第二侧穿过所述半导体衬底至所述介质区蚀刻深度垂直沟槽，从而使半导体台面区与其余的半导体衬底绝缘；以及用介质材料填充所述深度垂直沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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