[发明专利]CMOS射频功率放大器

摘要

本发明公开了一种CMOS射频功率放大器，包括MOS晶体管和双极型晶体管，MOS晶体管的偏置电路使MOS晶体管工作于饱和区，通过调节双极型晶体管的偏置电路来调节使其的集电极偏置电流的三阶非线性系数的绝对值大小接近MOS晶体管的源漏偏置电流的三阶非线性系数的绝对值大小，由于两个晶体管的三阶非线性系数的正负符合相反，能实现两个晶体管的三阶非线性系数相互抵消并使抵消效果达到最优，从而能增加CMOS射频功率放大器的三阶截断点，以及能提高器件的线性度、改善器件的增益和噪声性能，使器件的整体功能得到提升和优化。

主权项

一种CMOS射频功率放大器，其特征在于，包括：MOS晶体管，该MOS晶体管连接成共源极放大器模式，所述MOS晶体管的栅极输入射频输入信号、漏极输出射频输出信号；所述MOS晶体管的偏置电路使所述MOS晶体管工作于饱和区；双极型晶体管，该双极型晶体管连接成共射极放大器模式，所述双极型晶体管的基极输入所述射频输入信号，所述双极型晶体管的集电极和所述MOS晶体管的漏极连接并输出所述射频输出信号；通过调节所述双极型晶体管的偏置电路来调节所述双极型晶体管的集电极偏置电流，使所述双极型晶体管的集电极偏置电流的三阶非线性系数的绝对值大小接近所述MOS晶体管的源漏偏置电流的三阶非线性系数的绝对值大小，所述集电极偏置电流的三阶非线性系数和所述源漏偏置电流的三阶非线性系数的正负符号相反，所述集电极偏置电流的三阶非线性系数和所述源漏偏置电流的三阶非线性系数的绝对值差值越小，CMOS射频功率放大器的三阶截断点越大；所述MOS晶体管为NMOS晶体管，所述射频输入信号通过一第一电容输入到所述MOS晶体管的栅极；所述MOS晶体管的漏极通过一第三电容输出所述射频输出信号，所述MOS晶体管的漏极通过一第一电阻和正电源相连，所述MOS晶体管的源极接地或负电源；所述双极型晶体管为NPN晶体管，所述射频输入信号通过一第二电容输入到所述双极型晶体管的栅极；所述双极型晶体管发射极接地或负电源；或者，所述MOS晶体管为PMOS晶体管，所述射频输入信号通过一第四电容输入到所述MOS晶体管的栅极；所述MOS晶体管的漏极通过一第六电容输出所述射频输出信号，所述MOS晶体管的漏极通过一第二电阻和地或负电源相连，所述MOS晶体管的源极接正电源；所述双极型晶体管为PNP晶体管，所述射频输入信号通过一第五电容输入到所述双极型晶体管的栅极；所述双极型晶体管发射极接地。