[发明专利]CMOS射频功率放大器有效
| 申请号： | 201210405564.4 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103780207B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 朱红卫;刘国军;唐敏;刘燕娟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/189 | 分类号： | H03F3/189;H03F3/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 射频 功率放大器 | ||
1.一种CMOS射频功率放大器，其特征在于，包括：
MOS晶体管，该MOS晶体管连接成共源极放大器模式，所述MOS晶体管的栅极输入射频输入信号、漏极输出射频输出信号；所述MOS晶体管的偏置电路使所述MOS晶体管工作于饱和区；
双极型晶体管，该双极型晶体管连接成共射极放大器模式，所述双极型晶体管的基极输入所述射频输入信号，所述双极型晶体管的集电极和所述MOS晶体管的漏极连接并输出所述射频输出信号；通过调节所述双极型晶体管的偏置电路来调节所述双极型晶体管的集电极偏置电流，使所述双极型晶体管的集电极偏置电流的三阶非线性系数的绝对值大小接近所述MOS晶体管的源漏偏置电流的三阶非线性系数的绝对值大小，所述集电极偏置电流的三阶非线性系数和所述源漏偏置电流的三阶非线性系数的正负符号相反，所述集电极偏置电流的三阶非线性系数和所述源漏偏置电流的三阶非线性系数的绝对值差值越小，CMOS射频功率放大器的三阶截断点越大。
2.如权利要求1所述的CMOS射频功率放大器，其特征在于：
所述MOS晶体管为NMOS晶体管，所述射频输入信号通过一第一电容输入到所述MOS晶体管的栅极；所述MOS晶体管的漏极通过一第三电容输出所述射频输出信号，所述MOS晶体管的漏极通过一第一电阻和正电源相连，所述MOS晶体管的源极接地或负电源；
所述双极型晶体管为NPN晶体管，所述射频输入信号通过一第二电容输入到所述双极型晶体管的栅极；所述双极型晶体管发射极接地或负电源。
3.如权利要求1所述的CMOS射频功率放大器，其特征在于：
所述MOS晶体管为PMOS晶体管，所述射频输入信号通过一第四电容输入到所述MOS晶体管的栅极；所述MOS晶体管的漏极通过一第六电容输出所述射频输出信号，所述MOS晶体管的漏极通过一第二电阻和地或负电源相连，所述MOS晶体管的源极接正电源；
所述双极型晶体管为PNP晶体管，所述射频输入信号通过一第五电容输入到所述双极型晶体管的栅极；所述双极型晶体管发射极接地。
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