[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜预制层及其制备方法有效
| 申请号： | 201210405055.1 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103779433A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 郭伟民;黄迎春;廖成;曾波明;刘焕明 | 申请（专利权）人： | 中物院成都科学技术发展中心 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 王芸;刘雪莲 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜预制层，其化学式为CuInaGabSec，其中a的范围是0.01～5，b的范围是0.01～5，c的范围是0.01～10，并且铜原子比例占总原子数量的15%以下。本发明提供的铜铟镓硒薄膜预制层中硒化铜晶体减少，并且放置四小时后硒化铜晶体不生长。通过后续处理得到的铜铟镓硒薄膜质量良好。本发明还提供了一种制备铜铟镓硒薄膜预制层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜铟镓硒 薄膜 预制 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜铟镓硒薄膜预制层，化学式为CuInaGabSec，其特征在于，所述a的范围是0.01～5，b的范围是0.01～5，c的范围是0.01～10，并且铜在铜铟镓硒薄膜预制层中的原子比例占总原子数量的15%以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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