[发明专利]CIGS太阳能电池结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210401135.X | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103378215A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 杨弦升;李文钦;朱立寰 | 申请（专利权）人： | 台积太阳能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造CIGS薄膜光伏器件的方法包括：在基板上形成背接触层；在背接触层上形成富Se层；通过沉积铜、镓和铟在富Se层上形成前体层，得到第一中间结构；对第一中间结构进行退火或硒化，从而沿着背接触层和前体层之间的界面形成Cu/Se、Ga/Se或CIGS化合物，并得到第二中间结构；以及硒化第二中间结构，从而在背接触层上将前体层转化成CIGS吸收层。本发明提供了CIGS太阳能电池结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | cigs 太阳能电池 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造薄膜光伏器件的方法，包括以下步骤：(a)在基板上形成背接触层；(b)在所述背接触层上形成富Se层；(c)通过沉积铜、镓和铟在所述富Se层上形成前体层，得到第一中间结构；(d)对所述第一中间结构退火，从而沿着所述背接触层和所述前体层之间的界面形成Cu/Se、Ga/Se或CIGS化合物，并得到第二中间结构；以及(e)硒化所述第二中间结构，从而在所述背接触层上将所述前体层转化成CIGS吸收层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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