[发明专利]CMOS制造方法在审
| 申请号： | 201210395581.4 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103779276A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;闫江;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS制造方法，包括；在衬底上NMOS区域和PMOS区域形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构周围形成栅极侧墙；选择性刻蚀PMOS区域衬底，在栅极侧墙两侧形成源漏沟槽；在源漏沟槽中形成第一源漏抬升区；在衬底上NMOS区域和PMOS区域形成盖层。依照本发明的CMOS制造方法，先选择性刻蚀、外延生长PMOS抬升源漏，后全局选择性外延生长NMOS抬升源漏，减少了工艺步骤，降低了成本，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS制造方法，包括：在衬底上NMOS区域和PMOS区域形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构周围形成栅极侧墙；选择性刻蚀PMOS区域衬底，在栅极侧墙两侧形成源漏沟槽；在源漏沟槽中形成第一源漏抬升区；在衬底上NMOS区域和PMOS区域形成盖层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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