[发明专利]用于制造包括二氧化硅层的光伏元件的方法无效
| 申请号： | 201210392836.1 | 申请日： | 2012-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103050569A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·罗斯;西格马尔·鲁达科夫斯基 | 申请（专利权）人： | 欧司朗股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造包括二氧化硅层的光伏元件的方法，更具体而言涉及太阳能电池的制造。在这种情况下，使用附加的二氧化硅层，该二氧化硅层是通过具有小于200nm的波长的UV照射而制造的，并且可以改善在硅上的界面特性，可以帮助减少由表述“背景镀覆”已知的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 包括 二氧化硅 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造光伏元件的方法，包括以下步骤：在硅基板(1)上制造氮化硅层(7)；在所述氮化硅层(7)中制造开口；制造至少部分位于所述氮化硅层(7)的所述开口中的导电接触连接(8，9)，其特征在于，在制造所述接触连接(8，9)之前，在所述硅基板(1)上制造二氧化硅层(6)，以及在氧物质和氢氧物质中的至少之一的存在下、在使用具有小于200nm的波长的UV光照射(3)期间通过硅(1)的氧化来制造所述二氧化硅层(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
