[发明专利]降低俄歇电子能谱中荷电效应的方法无效
| 申请号： | 201210391136.0 | 申请日： | 2012-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103728329A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 齐瑞娟;段淑卿;虞勤琴;范春燕;季春葵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/227 | 分类号： | G01N23/227 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低俄歇电子能谱中荷电效应的方法，该方法包括：提供一半导体芯片，所述半导体芯片上具有多个焊垫，所述半导体芯片下表面连接有导体；将待分析焊垫与邻近焊垫电性连接，并将所述邻近焊垫与所述导体电性连接，从而形成待分析焊垫经由邻近焊垫至导体的电子导通通道。采用本发明能够得到准确的俄歇分析结果。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 电子 能谱中荷电 效应 方法 | ||
【主权项】：
一种降低俄歇电子能谱中荷电效应的方法，该方法包括：提供一半导体芯片，所述半导体芯片上具有多个焊垫，所述半导体芯片下表面连接有导体；将待分析焊垫与邻近焊垫电性连接，并将所述邻近焊垫与所述导体电性连接，从而形成待分析焊垫经由邻近焊垫至导体的电子导通通道。
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