[发明专利]一种草莓根尖脱毒与组培方法

摘要

一种草莓根尖脱毒与组培方法，该方法包括以下步骤：1）培养基的制备；2）材料预处理和根尖外植体的选取、灭菌；3）根尖诱导再生植株培养；4）幼芽增殖培养；5）继代生长培养；6）生根培养。本发明提供的一种草莓根尖脱毒与组培方法，可以解决草莓组培传统茎尖脱毒技术所存在的效率低、消毒难彻底、组培苗污染率高等问题，操作效率高、消毒彻底、组培苗污染率低。

主权项

一种草莓根尖脱毒与组培方法，其特征在于该方法包括以下步骤：1）培养基的制备：以MS培养基为基本培养基，附加6–苄氨基嘌呤5～7.5mg/L，2,4–二氯苯氧乙酸0.3～0.5mg/L后制得pH值为5.8～6.0的根尖诱导培养基；以MS培养基为基本培养基，附加6–苄氨基嘌呤5～0.75mg/L，a–萘乙酸0.2～0.5mg/L后制得pH值为5.8～6.0的继代增殖培养基；以1/2MS培养基为基本培养基，附加吲哚乙酸0.2～0.5mg/L后制得pH值为5.8～6.0的生根培养基；2）材料预处理和根尖外植体的选取、灭菌：将草莓放入灭菌细沙内于38℃±2℃下进行热处理4～6周至抽生出新根系；取1～2cm长主根根尖，消毒后吸干表面水分，将主根根尖前端长1～2mm的根尖切下作为外植体；3）根尖诱导再生植株培养：将外植体接种在根尖诱导培养基上，在28±2℃、光强800lux、光照12小时/d下培养，至四周后其余条件不变光强增强到1600lux，六周后光强增强到3200lux，八周后光强减弱到1200lux下继续培养直至从根尖诱导出再生植株幼芽，此阶段总共需培养2～3个月；4）幼芽增殖培养：将植株幼芽接种在继代增殖培养基上，在28±2℃，光强2000～3000lux、光照12小时/d下培养至长成8～10cm长小苗；5）继代生长培养：将小苗剪成2～2.5cm长小段接种在生根培养基上，在28±2℃，光强2000～3000lux、光照12小时/d下培养至长成8～10cm长小苗；以后每隔3～4周将小苗按同上述方法进行一次继代扩繁，直到满足苗数要求；6）生根培养：将继代扩增小苗接种在生根培养基上，在28±2℃，光强2000～3000lux、光照12小时/d下培养，1周后长出根系成为完整试管苗。