[发明专利]改善接触孔之钨化学机械研磨后平坦性的方法无效

专利信息
申请号: 201210388758.8 申请日: 2012-10-12
公开(公告)号: CN102881586A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 邓镭 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/321 分类号: H01L21/321;H01L21/768
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 陆花
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种改善接触孔之钨化学机械研磨后平坦性的方法,包括:步骤S1:在硅基衬底上制备前道器件和绝缘介质层;步骤S2:在接触绝缘介质层上淀积对钨金属具有高研磨选择比的薄膜阻挡层;步骤S3:光刻、刻蚀形成接触孔图案;步骤S4:制备接触孔结构;步骤S5:获得平坦的钨金属接触连接。综上所述,本发明所述改善接触孔之钨化学机械研磨后平坦性的方法通过在所述绝缘介质层上淀积所述对钨金属具有高研磨选择比的薄膜阻挡层,不仅有效地减小了在化学机械研磨过程中处于所述接触孔结构密集区的钨金属的侵蚀缺陷,改善了钨金属在化学机械研磨后的表面平坦性,而且避免后续形成铜互连时在铜的化学机械研磨过程中产生金属残留和缺陷,提高产品良率。
搜索关键词: 改善 接触 化学 机械 研磨 平坦 方法
【主权项】:
一种改善接触孔之钨化学机械研磨后平坦性的方法,其特征在于,所述方法包括:执行步骤S1:在具有浅沟槽隔离的所述硅基衬底上制备前道器件,并淀积形成覆盖所述前道器件的绝缘介质层,所述绝缘介质层之异于所述硅基衬底的一侧经过化学机械抛光以形成平坦的接触绝缘介质层;执行步骤S2:在所述接触绝缘介质层之异于所述硅基衬底的一侧淀积对钨金属具有高研磨选择比的薄膜阻挡层;执行步骤S3:光刻、刻蚀所述薄膜阻挡层和所述绝缘介质层,以形成接触孔图案;执行步骤S4:在所述接触孔图案中淀积所述防金属扩散层,并进行钨金属填充,以制备具有冗余钨金属的接触孔结构;执行步骤S5:通过化学机械研磨工艺,去除所述冗余的钨金属和防金属扩散层,以获得所述平坦的钨金属接触连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210388758.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top