[发明专利]改善接触孔之钨化学机械研磨后平坦性的方法无效
申请号: | 201210388758.8 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN102881586A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 邓镭 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/321 | 分类号: | H01L21/321;H01L21/768 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种改善接触孔之钨化学机械研磨后平坦性的方法,包括:步骤S1:在硅基衬底上制备前道器件和绝缘介质层;步骤S2:在接触绝缘介质层上淀积对钨金属具有高研磨选择比的薄膜阻挡层;步骤S3:光刻、刻蚀形成接触孔图案;步骤S4:制备接触孔结构;步骤S5:获得平坦的钨金属接触连接。综上所述,本发明所述改善接触孔之钨化学机械研磨后平坦性的方法通过在所述绝缘介质层上淀积所述对钨金属具有高研磨选择比的薄膜阻挡层,不仅有效地减小了在化学机械研磨过程中处于所述接触孔结构密集区的钨金属的侵蚀缺陷,改善了钨金属在化学机械研磨后的表面平坦性,而且避免后续形成铜互连时在铜的化学机械研磨过程中产生金属残留和缺陷,提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 改善 接触 化学 机械 研磨 平坦 方法 | ||
【主权项】:
一种改善接触孔之钨化学机械研磨后平坦性的方法,其特征在于,所述方法包括:执行步骤S1:在具有浅沟槽隔离的所述硅基衬底上制备前道器件,并淀积形成覆盖所述前道器件的绝缘介质层,所述绝缘介质层之异于所述硅基衬底的一侧经过化学机械抛光以形成平坦的接触绝缘介质层;执行步骤S2:在所述接触绝缘介质层之异于所述硅基衬底的一侧淀积对钨金属具有高研磨选择比的薄膜阻挡层;执行步骤S3:光刻、刻蚀所述薄膜阻挡层和所述绝缘介质层,以形成接触孔图案;执行步骤S4:在所述接触孔图案中淀积所述防金属扩散层,并进行钨金属填充,以制备具有冗余钨金属的接触孔结构;执行步骤S5:通过化学机械研磨工艺,去除所述冗余的钨金属和防金属扩散层,以获得所述平坦的钨金属接触连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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